在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電容器的性能直接影響整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。采用半導(dǎo)體工藝制造的國(guó)產(chǎn)硅電容以其獨(dú)特的單晶硅襯底優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能電子...
車載電子系統(tǒng)對(duì)元件的穩(wěn)定性和安全性有著極高的要求，國(guó)產(chǎn)硅電容以其先進(jìn)的制造工藝和材料優(yōu)勢(shì)，成為車規(guī)級(jí)應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)單晶硅襯底和精密半導(dǎo)...
5G通信技術(shù)的推廣對(duì)電子元器件的性能提出了更高要求，尤其是在高速數(shù)據(jù)傳輸和信號(hào)穩(wěn)定性方面。國(guó)產(chǎn)硅電容采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，基于單晶硅襯底...
國(guó)產(chǎn)硅電容的主要功能在于其出眾的高頻性能和溫度穩(wěn)定性，適應(yīng)了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)電容元件性能的嚴(yán)苛要求。采用單晶硅襯底，通過(guò)光刻、沉積和蝕刻等半導(dǎo)...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽(yáng)澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開(kāi)發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國(guó)際化團(tuán)隊(duì)，成員來(lái)自中國(guó)大陸，美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國(guó)突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開(kāi)發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲(chǔ)芯片---電壓控制磁存儲(chǔ)器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
