為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電Al膜，我們通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過(guò)理論計(jì)算和性能測(cè)試，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn)�？紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達(dá)到均勻化的程度，因?yàn)樗�也直接影響Al膜的其它性能，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能，中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過(guò)程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度，中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。電子束蒸發(fā)：將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中，利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜，是蒸度高熔點(diǎn)薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法，中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠。解決靶中毒主要有使用射頻電源進(jìn)行濺射、采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量、使用孿生靶交替濺射等。中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠

電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以?xún)?nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。

PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃），沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降，但不是太明顯。PECVD生長(zhǎng)氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過(guò)程，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例、RF功率、反應(yīng)室壓力、基片生長(zhǎng)溫度等。在一定范圍內(nèi)，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時(shí)候，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當(dāng)RF增加到一定值后，沉積速率隨RF增大而減少，然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大。

影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過(guò)度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶完全中毒，不能繼續(xù)濺射磁控濺射由于其內(nèi)部電場(chǎng)的存在，還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓，使濺射速率和材料粒子的方向性增加。

在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)的作用下較終沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場(chǎng)的作用下，在飛向襯底過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜。中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠

磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠

在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以?xún)?nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。中山電子束蒸發(fā)真空鍍膜加工廠

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